本周，英特于在電子元件技術(shù)大會 (ECTC) 上，爾詳英特爾推出了 EMIB-T，細(xì)介這是紹用其嵌入式多芯片互連橋接封裝的一項(xiàng)重要升級。EMIB-T 在 2025 年英特爾晶圓代工廠直連大會上首次亮相，英特于它將硅通孔 (TSV) 和高功率金屬-絕緣體-金屬電容器融入現(xiàn)有的爾詳 EMIB 結(jié)構(gòu)中。

英特爾院士兼基板封裝開發(fā)副總裁 Rahul Manepalli 博士表示，這些改進(jìn)可實(shí)現(xiàn)更可靠的紹用電源供應(yīng)，并增強(qiáng)獨(dú)立芯片組之間的英特于通信。傳統(tǒng)的爾詳 EMIB 設(shè)計(jì)由于采用懸臂式供電路徑，存在電壓降問題。細(xì)介相比之下，紹用EMIB-T 則通過 TSV 將電源從封裝基板直接傳輸?shù)矫總€(gè)芯片組連接點(diǎn)。英特于集成電容器可補(bǔ)償快速電壓波動(dòng)并保持信號完整性。爾詳

這一改進(jìn)對于 HBM4 和 HBM4e 等下一代內(nèi)存至關(guān)重要，細(xì)介因?yàn)轭A(yù)計(jì)通過 UCIe 接口，每引腳的數(shù)據(jù)速率將達(dá)到或超過 32 Gb/s。英特爾已確認(rèn)，首批 EMIB-T 封裝將達(dá)到目前約 0.25 皮焦耳/比特的能效，同時(shí)提供更高的互連密度。

該公司計(jì)劃將凸塊間距減小到目前 45 微米的標(biāo)準(zhǔn)以下。從 2026 年開始，英特爾打算生產(chǎn)尺寸為 120 x 120 毫米的基于 EMIB 的封裝，大約是單個(gè)光罩尺寸的八倍。這些大型基板可以集成多達(dá) 12 個(gè)高帶寬內(nèi)存堆棧以及多個(gè)計(jì)算芯片，所有這些都通過 20 多個(gè) EMIB 橋連接。

展望未來，英特爾預(yù)計(jì)到 2028 年將封裝尺寸推至 120 x 180 毫米。這樣的設(shè)計(jì)可以容納超過 24 個(gè)內(nèi)存堆棧、8 個(gè)計(jì)算芯片以及 38 個(gè)或更多 EMIB 橋。這些發(fā)展與臺積電為其 CoWoS 技術(shù)宣布的類似計(jì)劃非常相似。

除了EMIB-T之外，英特爾還展示了一種重新設(shè)計(jì)的散熱器，可將熱界面材料中的空隙減少約25％，以及一種新的熱壓粘合工藝，可最大限度地減少大型封裝基板的翹曲。

本文來源：http://iv82.cn/news/85c0399911.html

版權(quán)聲明：本文內(nèi)容由互聯(lián)網(wǎng)用戶自發(fā)貢獻(xiàn)，該文觀點(diǎn)僅代表作者本人。本站僅提供信息存儲空間服務(wù)，不擁有所有權(quán)，不承擔(dān)相關(guān)法律責(zé)任。如發(fā)現(xiàn)本站有涉嫌抄襲侵權(quán)/違法違規(guī)的內(nèi)容，請發(fā)送郵件舉報(bào)，一經(jīng)查實(shí)，本站將立刻刪除。